GaN FETデバイステスト、SiC IGBTテスト、高電圧光絶縁プローブ

ダブルパルステスト ダブルパルステスト
60V GaN設計 60V GaN設計
650V GaN設計 650V GaN設計
1000V+ SiC設計 1000V+ SiC設計
資料資料
GaN FETをテストし、ゲート駆動信号と高電圧出力を測定するHV光プローブ

GaN MOSFETとSiC IGBTのテストに最高の信頼性を

Teledyne LeCroy は、低電圧 (60 V) GaN パワー MOSFET から、500 V アプリケーションで使用されるあらゆる種類の GaN トランジスタ (FET または HEMT)、さらに 1000 V (またはそれ以上) の電圧で一般的に使用される SiC IGBT まで、あらゆるパワー デバイスのテストに最高の信頼性を提供します。

  • 安全で正確な高電圧テストのための光絶縁プローブ
  • 高 CMRR、60 V コモンモード、80 V ダイナミック レンジ プローブ
  • 12-bit 分解能、8チャンネルオシロスコープによる高精度測定
  • 簡素化されたダブルパルステストおよび3相電力解析ソフトウェア

パワーエレクトロニクス解析ソリューション(PDF:日本語カタログ)

最も信頼のおけるワイドバンドギャップデバイス設計およびテスト

Teledyne LeCroy は、ダブルパルス テスト回路での GaN MOSFET および SiC IGBT のテスト、インバータ サブセクションでのスイッチング性能の測定、または完全なシステム動作のテストに必要なソリューションを提供します。

窒化ガリウム GaN MOSFET 電気回路図記号

GaNとSiCのダブルパルステスト

GaN MOSFETおよびSiC IGBTパワー半導体のダブルパルステストを実行
  • 優れたCMRRと高精度を備えた高電圧光絶縁プローブ
  • 高精度、高信号忠実度、最小のノイズ、高CMRR 60 V コモンモード プローブ
  • 12-bit 高分解能オシロスコープは、高速なGaNおよびSiCの立ち上がり時間測定で正確な計測値と低ノイズを提供
: 窒化ガリウム GaN MOSFET インバータサブセクションの簡単な回路図

インバータサブセクションの検証

インバータサブセクションのGaNおよびSiCスイッチング性能とタイミングをキャプチャ、計測・検証
  • GaNおよびSiCゲート駆動信号とデバイス出力スイッチングの相関解析
  • 低コストから最高性能まで、クラス最高の CMRR を備えた幅広い高電圧プローブのラインナップ
  • 数千回のスイッチング サイクルにわたるデッドタイム時間変動の簡略化された計測とプロット
三相出力フィルタリングト​​ランスを備えたシリコンカーバイド SiC IGBT 電力変換システムの概略図

電力変換システムのテスト

入力から出力まで、GaN および SiC ベースのシステム性能試験を全てカバー
  • 全範囲の信号をキャプチャし、制御動作を電力変換システムの動作に関連付け
  • AC入力、高電圧出力、ゲート ドライブ、デバイス出力スイッチング信号用の幅広い高電圧プローブ
  • 専用の電力解析アプリケーションソフトウェア

MOSFET および IGBT のダブルパルステスト

ダブルパルステストは、パワー半導体の回路内動的動作を評価するために使用されます。ダブルパルステストでは、ゲート駆動信号を使用して DUT にストレスを与え、デバイスのオン/オフ時のエネルギー損失を測定するとともに、ダイオードの逆回復を測定します。

MOSFETパワー半導体を使用した電気回路のダブルパルステスト手順
MOSFETパワー半導体のローサイドテストのためのダブルパルステスト手順電気回路
MOSFETパワー半導体のハイサイドテストのためのダブルパルステスト手順電気回路
GaN MOSFET の出力電圧 (Vds)、ドレイン電流 (Id)、ゲート駆動電圧 (Vgs) を示すダブルパルステスト
光絶縁プローブ、HV差動プローブ、電流プローブ、AFG、電源、およびGaN MOSFETをテストするオシロスコープを備えたダブルパルステストセットアップ

二つの同一のパワー半導体デバイスがハーフブリッジ構成で接続されています。下側 (Lo) デバイスには 三つのテスト モードがあり、上側 (Hi) デバイスにも同じく三つのテスト モードがあります。Hi デバイスを測定するには、DC バス電圧と同等の高電圧絶縁を備えた適切な定格の高電圧絶縁プローブが必要です。

  • テスト モード 1: テスト対象のデバイスはオン状態で電流が流れており、他のデバイスはオフです。
  • テスト モード 2: テスト対象のデバイスはオフ状態にあり、電流を遮断しますが、他のデバイスはオフのままです。
  • テスト モード 3: テスト対象のデバイスは再びオン状態になり、電流が流れますが、他のデバイスはオフのままです。

インダクタはスイッチ位置 1 に設定され、回路は3つの連続モードで動作します。最初に、Lo デバイスはシミュレートされたゲート駆動パルスによってオンに駆動され、Hi デバイスはフリーホイール モードで動作します (左の画像)。次に、Lo デバイスはオフに駆動され (中央の画像)、電流はインダクタに流れ続けます (ただし、増加しません)。最後に、Lo デバイスは再びオンに駆動され、オン状態への移行直後に逆回復ダイオード電流が HI ダイオードを短時間流れ、この間に LO デバイスの伝導電流が増加します (右の画像)。3つのモードすべての動作中、Lo デバイスのゲート駆動パルスと Lo デバイスの出力電圧および伝導電流が測定されます。

    インダクタはスイッチ位置 2 に変更され、回路は3つの連続モードで動作します。最初に、Hi デバイスはシミュレートされたゲート駆動パルスによってオンに駆動され、Hi デバイスはフリーホイール モードで動作します (左の画像)。次に、Hi デバイスはオフに駆動され (中央の画像)、電流はインダクタに流れ続けます (ただし、増加しません)。最後に、Hi デバイスは再びオンに駆動され、オン状態への移行直後に逆回復ダイオード電流が Lo ダイオードを短時間流れ、この間 Hi デバイスの伝導電流が増加します (右の画像)。3つのモードの全ての動作中、HI デバイスのゲート駆動パルスと HI デバイスの出力電圧および伝導電流が測定されます。

      パワー半導体デバイスを設計および使用するエンジニアは、効率を最大化するために、スイッチングおよび伝導動作中の損失を最小限に抑えたいと考えています。エンジニアは次のことを行う必要があります。

      • 1. LoデバイスとHIデバイス(Vds)の両方でゲートドライブ(Vgs)信号の立ち上がり時間と信号忠実度/形状を正確に測定
      • 2. スイッチング、導通、オフ(ブロッキング)時のデバイス出力電圧を正確に測定
      • 3. ドレイン電流を正確に測定し、さまざまな動作モードでの効率を計算
      • 4. ダイオードの逆回復電流を正確に特性評価し、エネルギー損失と効率損失を計算(MOSFETの場合)

      Teledyne LeCroy は、最も正確で精密なデバイス特性評価を実現する最高精度のオシロスコープとプローブ (および補完的なハードウェアとソフトウェア) を独自に提供できます。

      • 0.5%のゲイン精度と全帯域幅での最小ノイズを備えた12-bit 高分解能オシロスコープ(HDO<sup>®</sup>)
      • 優れたCMRR、高精度、精密校正機能を備えた光および電気絶縁電圧プローブ
      • 60 V GaN、500 V GaN、1000 V以上のSiCテストのニーズに合わせてカスタマイズされたプローブ
      • 測定ソフトウェア、電源、および可変幅ゲート駆動信号を生成する任意関数発生器

      60 V GaN MOSFET 設計テスト

      一般的な差動プローブは、最大約 24 V (場合によっては最大 42 V) の差動およびコモンモード定格で動作します。高電圧差動プローブは帯域幅が不十分で、低電圧では精度が不十分な場合があり、先端容量が大きすぎる場合があります。光絶縁高電圧プローブは高価で、そこまでの絶縁性能は不必要です。この用途によりマッチしたプローブが必要となります。Teledyne LeCroy では最適なプローブをご提供できます。

      60 V GaN 設計テストの課題とニーズ

      60 V GaN 設計では、バッテリ寿命を最大限に延ばすために高い効率が求められます。効率を最大化するために、60 V GaN MOSFET は 1 ns という高速な立ち上がり時間を使用します。ゲート ドライブ、デバイス出力、DC 電圧、システム出力など、すべての信号を測定するには、低コストで高性能なプローブが必要です。

      • 1 nsの立ち上がり時間を測定するための広帯域(1 GHz)
      • あらゆる回路内測定(ゲートドライブ、DCリンク、デバイス出力、システム出力)に1つの最適化されたプローブを使用できる柔軟性
      • 干渉を強力に排除し、オーバーシュートを低く抑えた忠実な信号キャプチャ
      • 低ノイズ、多チャンネルの信号捕捉

      あらゆるインサーキット60 V GaN測定に最適化されたプローブを使用

      光プローブは、60 V 設計の低い dV/dT およびコモンモードに対しては高価すぎるか、性能が高すぎます。高電圧差動プローブは、このアプリケーション向けに性能が最適化されていません。60 V GaN プロービングに最適化されている差動プローブは、Teledyne LeCroy DL-HCM シリーズのみです。

      • 60 V コモンモード電圧定格、80 V 差動電圧定格
      • 最大 1 GHz のシステム帯域幅で 1 ns の立ち上がり時間を測定 (1 GHz オシロスコープを使用)
      • 小型で、さまざまなチップとリードで簡単にアクセスできます

      ゲートドライブとデバイス出力信号の忠実な再現

      DL-HCM シリーズ プローブは、高速ゲート ドライブおよびデバイス出力信号を忠実に測定するために必要な高いパフォーマンスを備えています。

      • 低い減衰量と切り替え可能な減衰量により付加ノイズが低い
      • 0.5%のゲイン精度、0.1 dBのLF平坦性、80 dBのCMRR、低い付加オーバーシュートによる最も忠実な信号再生
      • 8.9 Vmax または 20 Vmax のダイナミック レンジと低入力負荷 (200 kΩ // 0.6 pF) によるゲート ドライブ測定
      • 80 Vmaxダイナミックレンジでのデバイス出力測定

      DCリンクとシステム出力信号も測定できる二重目的

      切り替え可能な減衰機能により、高電圧用に回路内のどこにあるかに関係なく、回路内のすべての信号を測定します。

      • 最小1.6 Vp-pの測定範囲で、わずか3.25 mVRMSの付加ノイズでDCリンクリップルを測定
      • 80 Vp-p の差動機能を備えたシステム出力測定 (ライン-リファレンスまたはライン-ライン)
      • 60 Vコモンモード定格

      低帯域幅測定用の低コスト高電圧差動プローブ(HVDシリーズ)

      システム出力測定では、多くの場合、高帯域幅は必要ありませんが、高精度、低ノイズ、優れたノイズ耐性 (高プローブ CMRR) は必要です。プローブの価格設定が課題である場合、HVD シリーズ プローブは、一部の GaN システム測定において価格と性能のバランスをとることができます。

      • 400 MHz帯域幅モデルによるデバイス出力測定
      • 120 MHz~400 MHzモデルによるシステム出力測定
      • 優れた価格対性能比 - 低ノイズ、65 MHz で 1 dB CMRR (競合プローブより 30 dB 以上)
      • 1% ゲイン精度 (競合プローブの XNUMX 倍)
      • コモンモード定格は1kV、2kV、または6kV

      HVDシリーズ高電圧差動プローブ製品ラインイメージ

      フル帯域幅でオシロスコープの高解像度によりあらゆる詳細をキャプチャ

      Teledyne LeCroy 高解像度オシロスコープ (HDO®) は、オシロスコープの帯域幅定格のすべてにおいて、常に 12 ビットの解像度を提供します。Teledyne LeCroy HDO を一度使用すると、他のオシロスコープには戻れなくなるでしょう。

      • 解像度、サンプルレート、帯域幅のトレードオフなし
      • クリーンで鮮明な波形
      • より詳細な信号の情報
      • 比類なき測定精度


        インバータサブセクションとシステムテストの機能が向上

        Teledyne LeCroy オシロスコープとソフトウェア アプリケーション パッケージは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、カスケード H ブリッジ インバータ サブセクションおよびシステムのより高速で完全なデバッグを実現します。


          VFD出力、DCバッテリー、バッテリー駆動ドリルの機械信号と電力計算表

          650 V GaN MOSFET 設計テスト

          立ち上がり時間が速く、スイッチング電圧が高いため、干渉のない測定を行うことが困難です。測定された信号が回路内の信号を正確に表していることを保証するには、信号捕捉の信頼性が必要です。

          650 V GaN 設計テストの課題とニーズ

          650 Vdc 設計に実装された 500 V GaN MOSFET の高い dV/dt および電圧定格には、特殊な光プローブ、高品質の高電圧差動プローブ、高分解能・低ノイズのオシロスコープが必要です。

          • 最高のCMRR定格と絶縁性を備え、高dV/dtの回路内干渉の影響を最も受けにくいプローブ
          • 1000Vの出力スイッチングに加え、予期せぬオーバーシュートや過渡応答含めた捕捉に最適化された500Vの入力レンジ
          • 付加ノイズとオーバーシュートを抑え、信号形状を忠実かつ干渉なく再現
          • 多数の信号を同時に捕捉し、タイミング、電力、その他のパフォーマンスを評価する機能

          光プローブによる GaN FET 出力測定 (HV)

          光絶縁は、最速の dV/dt で最高のノイズ耐性を提供すると同時に、コンパクトな GaN 設計で安全な操作、高い信号忠実度、回路内信号への最も簡単な接続も提供します。

          • デバイス出力測定のための高 dV/dt 機能 (1840 GHz 帯域幅使用時 1 V/ns、435 V チップ付き DL10-ISO 光プローブで 1000 ps の立ち上がり時間)
          • 160 dB CMRR定格による優れたノイズ耐性
          • 高精度ゲインキャリブレーション、低ドリフトによる最高のゲイン精度(1.5%)
          • 最も忠実な信号再現、低付加オーバーシュート
          • 非常に柔軟なチップにより、コンパクトなGaN設計で信号に簡単に接続できます。

          光プローブによる GaN ゲート駆動信号測定 (HV)

          光絶縁は、最速の dV/dt で最高のノイズ耐性を提供すると同時に、コンパクトな GaN 設計で安全な操作、高い信号忠実度、回路内信号への最も簡単な接続も提供します。

          • 高インピーダンス、低容量チップによる非常に低い信号負荷(1 MΩ // 2.1 pF 標準)
          • 435 ps の立ち上がり時間 (1 GHz 帯域幅 DL10-ISO 光プローブを 1 GHz オシロスコープに接続)
          • MMCX接続と非常に柔軟なチップにより、コンパクトなGaN設計でGaNゲートドライブ信号への接続が容易になります。
          • 優れたノイズ耐性(160 dB CMRR)とゲイン精度(1.5%)と低オーバーシュート

          光プローブHVを使用したGaNゲート駆動信号測定

          HV差動プローブによるDCリンクとシステム出力の測定

          HVD3000A シリーズの差動プローブは、広い周波数範囲にわたって高い CMRR を提供し、ノイズの多い高コモンモードのパワー エレクトロニクス環境での測定の課題を簡素化します。プローブの設計は使いやすく、安全で正確な高電圧フローティング測定を可能にします。

          • 1 MHz ~ 2 MHz の帯域幅の 120 kV または 400 kV 定格モデル
          • 65 MHz で 1 dB の CMRR – 競合プローブの 50 倍の性能
          • 最小の付加ノイズとオーバーシュートで1%のゲイン精度
          • DCリンクリップル測定のための高オフセット機能とAC結合

          フル帯域幅でオシロスコープの高解像度によりあらゆる詳細をキャプチャ

          Teledyne LeCroy 高解像度オシロスコープ (HDO®) は、オシロスコープの帯域幅定格のすべてにおいて、常に 12 ビットの解像度を提供します。Teledyne LeCroy HDO を一度使用すると、他のオシロスコープには戻れなくなるでしょう。

          • 解像度、サンプルレート、帯域幅のトレードオフなし
          • クリーンで鮮明な波形
          • より詳細な信号の情報
          • 比類なき測定精度

          インバータサブセクションとシステムテストの機能が向上

          Teledyne LeCroy オシロスコープとソフトウェア アプリケーション パッケージは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、カスケード H ブリッジ インバータ サブセクションおよびシステムのより高速で完全なデバッグを実現します。

          • 8チャンネルオシロスコープ(OscilloSYNC使用時は16チャンネル))一度にすべてのスイッチングイベントを表示する機能を提供します
          • 多くの自動化されたタイミングやその他の測定を備えた強力で充実したツールボックス
          • アプリケーション固有の電源パッケージにより、制御イベントと電源イベント、さらには単一のデバイススイッチングサイクルとの相関関係を簡単に把握できます。

          1000 V(およびそれ以上)SiC IGBT設計テスト

          SiC IGBT デバイスは、より高いスイッチング電圧と電流で一般的に使用され、よく知られているシリコン デバイスと多くの特性を共有しています。SiC デバイスは、800 V のトラクション インバータや次世代の商用電源送電および配電システムの電力変換設計にますます導入されています。

          SiC IGBT設計テストの課題とニーズ

          定格 1200 V、1700 V、3300 V の SiC IGBT は、カスケード H ブリッジおよびマルチレベル カスケード H ブリッジ設計で使用され、高電力レベルで非常に高い動作電圧を実現します。これらの設計で見られる広範囲の信号を測定するには、高性能で堅牢なプローブが必要です。

          • 高性能計測と 1500 V 安全定格プローブを必要とする 1500 Vdc システム
          • 低電圧ゲートドライブ信号から非常に高い電圧(5kVクラス以上)のシステム出力まですべてを測定できるプローブ
          • 干渉のない信号形状の再現、低付加ノイズ、低オーバーシュートによる高性能信号捕捉
          • 多数の信号を同時に捕捉し、タイミング、電力、その他のパフォーマンスを評価する機能

          SiCゲートドライブおよびデバイス出力信号用光プローブ(HV)

          光絶縁は、最速のdV/dtで最高のノイズ耐性を提供し、同時に安全な操作、高い信号忠実度、およびSiC設計における回路内信号へのスクエアヘッダー接続も提供します。

          • 350 MHz 帯域幅 (1.1 ns 立ち上がり時間)、160 dB CMRR 定格で最高のノイズ耐性を実現
          • 高精度ゲインキャリブレーションと低ドリフトで最高の精度(1.5%)
          • 交換可能なチップにより、ゲートドライブとデバイス出力信号の両方を測定可能
          • SiC信号への角型ヘッダー接続と非常に柔軟なチップにより、SiC設計での信号への接続が容易になります。

          1000V測定用チップ付きHV光プローブ

          6 kV クラス装置用の最高性能 5 kV コモンモード HV 差動プローブ (HVD3605A)

          Teledyne LeCroy HVD3605A 高電圧差動プローブは、1500 V を超える SiC 測定に検討する価値のある唯一の HV 差動プローブであり、優れたノイズ耐性と高性能を兼ね備えています。

          • 6000 VRMSコモンモード安全定格
          • 最高電圧範囲で 50 MHz で 1 dB の CMRR を実現し、独自のノイズ耐性を実現。これに匹敵するプローブはありません。
          • 最大4160Vの機器定格までのACライン、DCリンク、およびシステム出力電圧のプローブを可能にする唯一のプローブ
          • 業界最高のオフセット能力(6000 V)
          • 1%のゲイン精度

          1500 V コモンモード安全定格 HV 差動プローブ (IEC/EN 61010-031:2015 準拠)

          電力系統接続型太陽光発電 (PV) インバータ、無停電電源装置 (UPS)、溶接システムでは、システム コストを最小限に抑えるために 1500 Vdc バスが一般的に使用されています。Teledyne LeCroy の HVD3206A または HVD3220 は、このアプリケーションに最適です。

          • 1500 VDC (CAT III) および 2000 V (DC+ピーク AC) (CAT I) の安全定格 – 業界で唯一
          • 低減衰(500倍)、差動電圧定格2000V
          • 120 MHz または 400 MHz の帯域幅定格
          • 65 MHz で 1 dB CMRR (競合の 50 kV 定格プローブより 1 倍優れています)
          • 1%のゲイン精度

          フル帯域幅で高解像度であらゆる詳細をキャプチャ

          Teledyne LeCroy 高解像度オシロスコープ (HDO®) は、オシロスコープの帯域幅定格のすべてにおいて、常に 12 ビットの解像度を提供します。Teledyne LeCroy HDO を一度使用すると、他のオシロスコープには戻れなくなるでしょう。

          • 解像度、サンプルレート、帯域幅のトレードオフなし
          • クリーンで鮮明な波形
          • より詳細な信号の情報
          • 比類なき測定精度

          動的動作条件下での 480 Vac モーター ドライブ出力。右側に電圧と電流のズームが表示され、前面に 200 MHz から 8 GHz までの Teledyne LeCroy 高解像度オシロスコープ (HDO) 製品ラインが表示されます。

          インバータサブセクションとシステムテストの機能が向上

          Teledyne LeCroy オシロスコープとソフトウェア アプリケーション パッケージは、カスケード H ブリッジおよびマルチレベル カスケード H ブリッジ インバータ サブセクションとシステムのより高速で完全なデバッグを実現します。

          • 8チャンネルのオシロスコープ(OscilloSYNC使用時は16チャンネル)により、すべてのスイッチングイベントを一度に表示できます。
          • 多くの自動化されたタイミングやその他の測定を備えた強力で充実したツールボックス
          • アプリケーション固有の電源パッケージにより、制御イベントと電源イベント、さらには単一のデバイススイッチングサイクルとの相関関係を簡単に把握できます。

          mda8000hd 16チャンネルオシロスコープ

          高電圧プローブ選択ガイド

          パワーエレクトロニクス プローブのページをご覧ください。 当社の高電圧プローブ選択ガイドを使用して、電圧定格、アプリケーション、半導体デバイスの材質に基づいて最適な高電圧プローブを決定いただけます。追加のリソースは以下に記載されています。
          高電圧プローブ選択表の結果例

          資料

          名称
          ‎テレダイン・レクロイのパワーエレクトロニクス解析ソリューション(日本語)

          ‎テレダイン・レクロイは、スイッチング・デバイス単体の評価からモータシステムにいたるまで パワーエレクトロニクス技術をトータルでサポートします。‎ ◎スイッチング・デバイス、スイッチング回路の評価 ◎DC電源レールの評価/AC入力の評価 ◎インバータ/モータ駆動回路三相パワー解析

          技術資料をダウンロードする
          ‎高分解能オシロスコープの設計手法を比較する

          ‎このホワイト ペーパーでは、さまざまな高分解能オシロスコープの設計手法の概要を説明し、オシロスコープの性能に与える影響の例を示します。‎

          ホワイトペーパーをダウンロードする

          5 分で最適な高電圧オシロスコープ プローブを選択する方法

          高電圧オシロスコープのプローブを選択する必要がありますか? 選択肢が多すぎて困っていませんか? Teledyne LeCroy は、情報に基づいた決定を下すのに役立つオンライン ツールである高電圧プローブ選択ガイドを提供しています。ここでは、考慮すべき基本的なポイントを説明します。

          アプリノートを読む

          ダブルパルステストの推奨機器リスト

          60 V GaN、650 V GaN/SiC、1000 V (またはそれ以上) SiC のダブルパルス テストを実行するための推奨 Teledyne LeCroy テスト機器 (URL リンク付き)。

          データシート
          高電圧光ファイバー光絶縁(HVFO)プローブ – 優れた性能
          電流プローブ
          GaN MOSFETおよびSiC IGBT用DL-ISOプローブ
          プローブ比較: GaN/SiC 測定用 Teledyne LeCroy DL-ISO と Tek IsoVu
          プローブ比較 - 設定の詳細: Teledyne LeCroy DL-ISO と Tektronix IsoVu

          3相電力とモーターのマスターウェビナーシリーズ

          Teledyne LeCroy のこのラーニング ラボ シリーズに参加して、8 チャンネルの高解像度オシロスコープまたはモーター ドライブ アナライザーを使用して、高出力の XNUMX 相およびモーター インバーターとドライブ システムを測定してください。

          すべて登録

          三相電源とモーターのマスター ウェビナー シリーズのパート 1 では、マージンが達成されていることを確認するために、ゲート駆動信号とデバイス出力のデッドタイムを測定する手法について説明します。

          三相電力およびモーターマスターウェビナーシリーズのパート 2 では、静的電力解析と動的電力解析の違いと、それぞれのセットアップと測定を最適化する方法について説明します。

          三相電力とモーターのマスター ウェビナー シリーズのパート 3 では、計算されたサイクルごとの電力波形を使用して、電力セクションの動作に対する制御システムの動作を検証およびデバッグする例を検討します。

          三相電力およびモーターマスターウェビナーシリーズのパート 4 では、デバイスのスイッチング時間に相当する電力期間中に計算された電力の例を検討します。

          三相電力とモーターのマスター ウェビナー シリーズのパート 5 では、AC ライン (3 または 50 Hz) 入力と可変周波数出力の両方で可変周波数波形の全高調波歪み (THD) と高調波解析を実行する方法を説明します。

          三相電力とモーターのマスター ウェビナー シリーズのパート 6 では、モーター ドライブ アナライザー (MDA) を使用して、さまざまなアナログ、デジタル、シリアル データ センサーを使用してモーターの機械シャフトの速度、トルク、角度を測定する方法に焦点を当てます。

          パワーエレクトロニクスにおけるプロービング – 何を使用するか、またその理由

          パワーエレクトロニクスの設計には、固有の測定上の課題があります。 この市場の特定のニーズを満たすために、多くの特殊な高電圧および低電圧のシングルエンドおよび差動プローブがあります。 ただし、適切なプローブの選択と使用は、オペレーター、機器、および DUT の安全にとって重要であり、測定の精度にも大きな影響を与えます。

          すべて登録

          パワー エレクトロニクスのプロービング ウェビナー シリーズのパート 1 では、さまざまな種類の高電圧プローブと、特定のアプリケーションに最適なプローブを選択する方法について説明します。

          パワー エレクトロニクスのプロービング ウェビナー シリーズのパート 2 では、実際のアプリケーション例と高電圧プローブの比較を提供し、さまざまなアプリケーション例における各タイプの長所と短所の実際的な影響を強調します。

          ‎高分解能オシロスコープの設計手法を比較する

          1GHz以上の帯域幅で10ビットを謳う高解像度オシロスコープの市場が爆発的に増加している。 12-bit または (驚くべきことに) 16 ビットの解像度もあります。オシロスコープのメーカーは、解像度を上げるためにさまざまな設計アプローチを採用していますが、その一部は他のパフォーマンスのトレードオフを強いるものです。Teledyne LeCroy のこの XNUMX 部構成のウェビナー シリーズに参加して、さまざまなメーカーの主張をより深く理解してください。

          すべて登録

          オシロスコープのメーカーは分解能を高めるためにさまざまな設計アプローチを使用していますが、その中には他のパフォーマンスのトレードオフを課すものもあります。 Ken Johnson によるこの XNUMX 部構成のウェビナー シリーズに参加して、さまざまなメーカーの主張をより深く理解してください。

          オシロスコープのメーカーは分解能を高めるためにさまざまな設計アプローチを使用していますが、その中には他のパフォーマンスのトレードオフを課すものもあります。 Ken Johnson によるこの XNUMX 部構成のウェビナー シリーズに参加して、さまざまなメーカーの主張をより深く理解してください。

          このウェビナーでは、48 V 電力変換システムの検証とデバッグのための新製品、ベストプラクティスおよび測定技術について説明します。

          このウェビナーでは、参加者はダブルパルステストを安全に実行する方法と、GaN または SiC パワー半導体デバイスの動的応答を取得して特性評価する方法を学びます。

          ベンチ PSU の選択と使用: ベンチ PSU を購入する際の考慮事項: リニア バース スイッチ モード、総電力、出力数、プログラマブルなど。 ベンチ電源の使用: ベンチを最大限に活用するためのヒントとコツを知る電源: パラレルおよびシリアル出力構成、4 線接続、単一 DUT での複数の電源の使用など。

          オシロスコープ コーヒー ブレーク ウェビナー シリーズのパート 2 では、タイミング エラーを排除するデスキューについて説明します。 プローブやチャネル間の伝播遅延の違いは、タイミング測定の精度に影響を与える可能性があります。 これらの誤差を最小限に抑える方法について説明します。

          GaN MOSFET または SiC IGBT でダブルパルステストはどのように実行されますか?

          このリンク WWW。teledynelecroy.com/ワイドバンドギャップ#ダブルパルステスト に完全な詳細があります。要約すると、ハーフブリッジ回路が通常使用され、ハーフブリッジの中間点に切り替え可能なインダクタを使用して構築されます。シミュレートされたゲート駆動パルスがローサイドまたはハイサイドデバイスに適用され、適切な絶縁プローブとオシロスコープを使用してさまざまな測定が行われます。

          フローティング測定に高電圧光プローブが使用されるのはなぜですか?

          シングルエンド プローブには、オシロスコープのグランドとテスト対象デバイス (DUT) の基準グランドを効果的に接続するグランドがあります。DUT 基準グランドをオシロスコープ (アース) グランドにできない場合は、DUT 基準がアース グランドより上に浮いている電力変換システムでの測定には、絶縁プローブが必要です。光絶縁は高価ですが、特に浮遊電圧が高く、スイッチング電圧が高い場合に優れた性能を発揮します。このとき、EMI が従来の (CMRR が低い) 電気的に絶縁されたプローブの性能に干渉する可能性が高くなります。

          Teledyne LeCroy DL-ISO と HVFO 光プローブ HV の違いは何ですか?

          Teledyne LeCroy DL-ISO は、新しい高帯域幅プローブで、小信号 (ゲート ドライブなど) 測定と高電圧 (デバイス出力) 測定の両方に最適化されています。DL-ISO は GaN と SiC の両方に最適です。Teledyne LeCroy HVFO は帯域幅が低く (シリコンやおそらくシリコン カーバイドの立ち上がり時間と一致します)、小信号測定にのみ最適化されていますが、DL-ISO よりもはるかに安価です。このリンク https://www.teledynelecroy.com/probes/high-voltage-optically-isolated-probes 短い比較があります。

          Tektronix IsoVu と Teledyne LeCroy DL-ISO 光絶縁プローブを比較するとどうなりますか?

          両方のプローブのトポロジは似ています。Tek IsoVu プローブのプローブ帯域幅は 1 GHz で、プローブ + オシロスコープ帯域幅は <1 GHz (1 GHz オシロスコープ使用時) ですが、Teledyne LeCroy DL-ISO のプローブ + オシロスコープ帯域幅定格は 1 GHz (1 GHz オシロスコープ使用時) です。したがって、IsoVu 光絶縁プローブは、オシロスコープに接続した場合の立ち上がり時間が通常遅くなりますが、Teledyne LeCroy DL-ISO は、プローブ + オシロスコープの組み合わせの一部として常に定格帯域幅 (および 435 ps の立ち上がり時間) を備えています。Tek IsoVu 絶縁プローブのリードは、Teledyne LeCroy DL-ISO よりも硬く柔軟性が低いため、狭い回路をプローブする場合に不利です。Teledyne LeCroy DL-ISO は、ノイズが低く、精度が高く、より忠実な信号再生が可能です。ただし、Tek IsoVu は、プローブ サイズが小さい第 XNUMX 世代の設計のメリットを活用しています。 ビデオプローブ比較を見る: GaN/SiC 測定における DL-ISO と IsoVu のガイドをご参照ください。

          GaN ゲート駆動信号測定用のプローブにはどのような特性が必要ですか?

          GaN ゲート ドライブ信号は立ち上がり時間が非常に速く、振幅が低いため、プローブからの負荷に敏感になることがあります。高帯域幅が必要です (通常 1 GHz、プローブ + オシロスコープの組み合わせ)。ノイズを最小限に抑え、信号の忠実度を最大化するには、プローブの減衰が低いのが理想的です。他の回路内スイッチング イベントからの放射干渉を適切に除去するには、高い CMRR が必要です。

          SiC ゲート駆動信号測定用のプローブにはどのような特性が必要ですか?

          SiC ゲート ドライブ信号は GaN よりも遅いため、これらの信号を適切に特性評価するには 350 MHz の帯域幅で十分です。SiC は、800 ~ 900 V スイッチング アプリケーション (最新世代の電気自動車の推進モーター ドライブなど) でよく使用され、信号と予想されるオーバーシュートを測定するには、1000 V を超える測定範囲のプローブが必要になる場合があります。それ以外の場合、必要なプローブ特性は GaN の場合とほぼ同じです。

          48~60V MOSFET テストに特殊なプローブが必要なのはなぜですか?

          48~60V のアプリケーションでの振幅は、従来の差動プローブのコモンモードおよび差動電圧定格をわずかに上回り、HV 差動プローブのコモンモードおよび差動電圧定格を大幅に下回ります。1000V コモンモード定格の HV 差動プローブには通常、切り替え可能な減衰器 (最大差動電圧定格が約 50V の場合は 200 倍、最大差動電圧が約 500V の場合は 2000 倍) があり、高い (50 倍) 減衰と必要以上に大きい差動電圧範囲により、測定にノイズが追加されます。さらに、ほとんどの HV 差動プローブは通常 200 MHz に制限されており (例外はいくつかありますが、これまでのところ 400 MHz が上限です)、GaN ベースの設計ではその有用性が制限されます。Teledyne LeCroy の DL-HCM は、この特定のアプリケーションでこれらの電圧範囲に最適化されています。 ウェビナーを見る 48 V 電力変換テストのベストプラクティス のガイドをご参照ください。

          なぜ HV プローブにはこれほど多くの種類があるのでしょうか?

          Si、SiC、GaN 設計にはさまざまなアプリケーションがあり、それぞれ異なるパフォーマンスとさまざまな許容価格帯が求められます。 適切な高電圧プローブの選び方 - ウェビナーを見る アプリケーションに適したプローブの選択の詳細については、こちらをご覧ください。 高電圧プローブの実際の例と比較 - ウェビナーを見る 詳細については、 5 分で最高の高電圧オシロスコープ プローブを選択する方法 - アプリケーションノートを読む .

          MOSFET または IGBT の伝導損失を測定するには、オシロスコープのフロントエンドをオーバードライブする必要がありますか?

          従来、エンジニアはオシロスコープのフロントエンド アンプをオーバードライブし、オシロスコープのオフセットを使用して伝導イベントを表示し、損失を計算していました。この方法はエラーが発生しやすく (オフセット回路により電圧の読み取り値が不正確になる場合があります)、信号歪みを生じさせずにオシロスコープのフロントエンド アンプを大幅にオーバードライブできる能力に依存していました。一部の (すべてではない) 古いオシロスコープでは、このテストを実行するのに十分な高速オーバードライブ回復機能がありましたが、最近の (20 年未満の) オシロスコープでは、フロントエンド アンプがノイズ性能の向上のために最適化されており、これらのアンプはオーバードライブに耐える可能性が低いため、この方法は推奨されません。

          MOSFET または IGBT の伝導損失を測定する最良の方法は何ですか?

          最近のオシロスコープの多くは、より高い解像度と低ノイズのフロントエンドアンプを備えています。伝導イベントを正確に捉えるには、フル信号を 12-bit 解像度の高いオシロスコープのディスプレイで、垂直ズームを使用して伝導イベントを表示します。16 ビット オシロスコープと比較して 8 倍の解像度では、オシロスコープの入力で信号が過剰に駆動されないことを完全に補うことはできませんが、最終的な測定の信頼性は高まります。追加のノイズ低減技術 (平均化、フィルタリングなど) により、パフォーマンスがさらに向上する可能性があります。

          MOSFET または IGBT のスイッチング損失を測定する最良の方法は何ですか?

          スイッチング損失は、高品質のHV絶縁電圧プローブ、電流測定手段(低帯域幅用のクランプオンプローブまたは電流トランス、または直列シャント抵抗と適切な差動電圧プローブ)と、 12-bit オシロスコープ。スイッチング イベント中の電力損失を計算するために数学を使用することも、アプリケーション ソフトウェア プログラムを使用することもできます。

          Teledyne LeCroy 差動アンプ (モデル DA1855A) の代替として最適なものは何ですか?

          Teledyne LeCroy DA1855およびDA1855Aシリーズの差動アンプは、1990年代後半から2020年代初頭まで製造されていました。適切なリード線でオシロスコープに接続するとHV差動プローブとして機能し、一部のHVモードでは1倍の減衰、他のモードでは10倍のゲイン、100 dB CMRRを備えていましたが、帯域幅は100 MHzのみでした(GaNまたはSiCには適していません)。 AP033 最大42Vのコモンモードで動作し、10倍のゲインを持ち、シャント抵抗測定に適しています。 DL-HCM 減衰は 7 倍と低く、小信号測定に適しています。導通損失の測定には、「MOSFET または IGBT の導通損失を測定する最適な方法は何ですか?」の質問で説明されている手法をお勧めします。

          絶縁された高電圧プローブが利用できない場合、オシロスコープをフローティングさせて高電圧信号を測定してもよいですか?

          オシロスコープを地面より上に浮かべるのは安全ではありません。オシロスコープのオペレーターが重傷を負ったり死亡したり、オシロスコープとプローブが損傷したり、DUT が損傷したりする可能性があります。また、オシロスコープを浮かべるには、オシロスコープを規定の用途から意図的に変更する必要があります。これらの理由から、すべての信頼できる企業と研究所は、オシロスコープを浮かべることを厳しく禁止し、適切な定格の高電圧プローブの使用を義務付けています。さらに、たとえ負傷や死亡を回避できたとしても、浮かべたオシロスコープで取得した信号の測定忠実度が影響を受ける可能性があります。

          お問合せ/無料デモ申込み/メルマガ登録

          あらゆるご質問にお答えいたします。お返事おまちしております